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江蘇蘇豐機械科技有限公司
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大拉退火裝置淬火：往半導體材料中引入殘渣正離子時，高效率能量的入射正離子會與半導體材料晶格常數上的分子撞擊，使某些晶格常數分子產生偏移，結果導致很多的空位，將促使引入區中的分子排序錯亂或是變為為非晶區，因此在離子注入之后務必把半導體材料放到必須的溫度下開展淬火，以修復結晶的構造和清除缺點。一起，淬火也有激話施主和受主殘渣的作用，即把一些處在空隙部位的殘渣分子根據淬火而讓他們進到取代部位。
RTP（Rapid Thermal Processing）迅速調質處理，是在十分短的時間內將全部硅片加溫至400~1300℃環境濕度范圍之內的這種方式，相對性于爐體淬火，它具備熱費用預算少，硅中殘渣健身運動小，沾污寸和生產加工速度快等特性。
● 多種led燈管設計構思以確保溫度勻稱
● 即時閉環控制溫控方法
● 即時燈絲電流量檢測以確保加工工藝平穩可信性
● 安全性檢測，包含熱偶溫度測量檢驗、超溫檢驗、燈絲電流量檢驗
● 中英客戶操作面板，應用十分簡變
● 手機軟件自動式操縱加工工藝全過程，使用方便，包含客戶等級分類應用管理權限
● 萊單編寫、加工工藝統計數據紀錄/搜索、警報/出錯、客戶情況等作用
主要用途
● 離子注入倒退火/活性
● 金屬材料細晶強化，砷化稼電級細晶強化
● 磷鋁硅酸鹽夾層玻璃/硼磷夾層玻璃流回
● 溝道空氣氧化
● 柵物質產生
● 多晶硅淬火
● 鈦硅化物/硅化物/氮化合物淬火銅銦鎵硒光伏運用中的硒堆積
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