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大規模退火裝置中的猝滅:在半導體材料中引入剩余正離子時，高效率能量的入射正離子會與半導體材料晶格常數上的分子發生碰撞，導致一些晶格常數的分子發生位移，產生很多空位，促使引入區域的分子無序有序化或者變成非晶區域。因此，在離子注入后，半導體材料必須在必要的溫度下淬火，以修復晶體結構并去除缺陷。淬火合在一起還有激發施主和受主殘基的作用，就是把間隙部分的一些殘基分子按淬火放入替換部分。
RTP(rapid thermalp processing)是一種在很短的時間內將所有硅片加熱到400~1300℃環境濕度的方法。與爐淬相比，RTP具有熱預算少、硅渣、污垢等物理運動少、生產加工速度快的特點。
各種led燈管設計理念，確保溫度對稱。即時閉環控制溫控方式。實時燈絲電流檢測，確保加工工藝穩定可靠。安全檢查，包括熱電偶測溫檢查、超溫檢查和燈絲電流量檢查。中英文客戶操作面板的應用非常簡單。手機軟件自動控制加工工藝的全過程，簡單易用，包含客戶分類的應用管理權限。大拉退火裝置,清單編制、加工工藝統計記錄/檢索、報警/錯誤、客戶情況等。
主要用途:
離子注入回火/活性。金屬材料的細晶強化和砷的電級細晶強化。磷鋁硅酸鹽夾層玻璃/硼磷夾層玻璃的再循環。通道空氣氧化。低柵極材料生成。低多晶硅淬火。銅銦鎵硒光伏應用中低鈦硅化物/硅化物/氮化合物猝滅硒積累。
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